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TUhjnbcbe - 2024/9/9 21:17:00
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有大量关于环境因素和脑肿瘤发病关系的研究,但只有2个明确的危险因素得的确认:电离辐射和免疫抑制(表1)。低或高剂量治疗性电离辐射作为脑肿瘤发病的一个重要危险因素已在多项研究中得到证实。颅内肿瘤(如髓母细胞瘤、脑外头颈部癌)放疗,包括白血病预防性放疗,在生存期超过3年的患者中,使胶质瘤和肉瘤的发病率增加了7倍。脑部放疗患者继发性脑肿瘤的累积相对危险为5.65-10.9;其中2/3为胶质瘤,1/3为脑膜瘤2;脑部放疗后,高级别胶质瘤中位潜伏期为9.1年,脑膜瘤为19年。用于治疗头癣(一种头皮真菌感染)、儿童皮肤血管瘤的低剂量放疗增加了脑肿瘤发生风险;神经鞘瘤、恶性脑膜瘤和胶质瘤的相对风险分别为18、10和3。

表1神经上皮、脑膜及淋巴细胞来源的原发性脑肿瘤的危险因素

先天性或获得性免疫缺陷,如人类免疫缺陷病毒(HIV)感染,或器官移植后使用免疫抑制性药物,增加原发性中枢神经系淋巴瘤(PCNSL)的发病率3。HIV感染可能也增加胶质瘤和颅内平滑肌肉瘤的发生率。免疫缺陷患者的PCNSL是由预先潜伏于B淋巴细胞的Epstein-Barr病毒感染引起的。当免疫缺陷患者发生淋巴瘤,脑内发生的概率几乎是身体其他部位的2倍。

其他环境危险因素的研究,缺乏电离辐射和免疫抑制研究结论的说服力;这包括饮食中含有N-亚硝基脲化合物、杀虫剂和肥料的职业暴露、人工橡胶生产、氯乙烯合成以及石化工业等。其他研究评估了脑肿瘤与头部外伤、吸烟、癫痫病史、母亲酗酒、感染的关系,但没有得到明确的结论。

电磁场暴露(EMF),特别是手机使用,引起了极大的研究兴趣。大多数研究认为,手机使用与脑肿瘤发生无关,但可能存在剂量相关风险4,5。最近的研究数据提示,变态反应性或过敏性疾病史,可能会降低胶质瘤发生风险。此外,大基因组相关性研究发现,在7个基因中的8个DNA单核苷酸多态性与胶质瘤发生或特定胶质瘤的级别和分型有关,但是相关机制不明6。

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